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    國(guó)際整流器公司（IR）已經(jīng)重點(diǎn)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域投入最大的研發(fā)資源，實(shí)現(xiàn)高性能和高性?xún)r(jià)比的DC-DC電源管理發(fā)展路線圖......
    IR提供了一個(gè)廣泛的IGBT產(chǎn)品系列，電壓范圍300V至1200V，采用可以將開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗最小化的多種技術(shù)來(lái)提高效率、減少散熱......
    自1979年推出首款HEXFET以來(lái)，國(guó)際整流器公司一直處于功率MOSFFET設(shè)計(jì)與創(chuàng)新的前沿......
    國(guó)際整流器公司在功率半導(dǎo)體集成方面的豐富經(jīng)驗(yàn)使得公司有能力開(kāi)發(fā)出一系列可以構(gòu)建功率級(jí)所需元件數(shù)量最小化功率模塊......
    國(guó)際整流器的柵極驅(qū)動(dòng)器IC和控制器的廣泛產(chǎn)品組合在從電機(jī)控制和照明到音頻放大器和AC-DC電源的應(yīng)用范圍中......
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